Новости науки "Русского переплета" Rambler's Top100
Портал | Содержание | О нас | Пишите | Новости | Книжная лавка | Голосование | Топ-лист | Регистрация | Дискуссия
Лучшие молодые
ученые России

Подписаться на новости

АВТОРСКИЕ НАУЧНЫЕ ОБОЗРЕНИЯ

"Физические явления на небесах" | "Terra & Comp" (Геология и компьютеры) | "Неизбежность странного микромира"| "Научно-популярное ревю"| "Биология и жизнь" | Теорфизика для малышей
Семинары - Конференции - Симпозиумы - Конкурсы

НАУКА В "РУССКОМ ПЕРЕПЛЕТЕ"
Проект поддержан Международной Соросовской Программой образования в области точных наук.
Новости из мира науки и техники
The Best of Russian Science and Technology
Страницу курирует проф. В.М.Липунов
"Русский переплет" зарегистрирован как СМИ. Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.

Тип запроса: "И" "Или"

26.04.2024
14:33

TSMC пообещала освоить 2-нм техпроцесс в 2025 году, а 1,6-нм техпроцесс — на год позднее

    Активность Intel по возвращению себе технологического лидерства в сфере литографии ко второй половине десятилетия не могла остаться без ответа действующего лидера в лице тайваньской компании TSMC, а потому на этой неделе она заявила, что собирается освоить выпуск 1,6-нм чипов ко второй половине 2026 года.

    Для этих заявлений руководством TSMC была использована площадка Североамериканского технологического симпозиума в Калифорнии, что косвенно намекало не только на соперничество с Intel в этой сфере, но и на готовность TSMC внедрять передовую технологию на американской земле. Напомним, что обязательство наладить выпуск в США чипов по 2-нм технологии в этом десятилетии стало для TSMC одним из условий получения субсидий от властей страны. Пока нет информации на тот счёт, будет ли 1,6-нм техпроцесс освоен американскими предприятиями TSMC, и в какие сроки это произойдёт.

    Представители TSMC лишь пояснили, что 1,6-нм технология способна значительно увеличить плотность размещения логических элементов и их быстродействие по сравнению с техпроцессом N2P. В частности, скорость переключения транзисторов вырастет на 8-10 % при неизменном напряжении, энергопотребление удастся снизить на 15-20 % при том же быстродействии, а в серверном сегменте плотность размещения транзисторов удастся увеличить в 1,1 раза. Попутно сообщается, что помимо структуры транзисторов с окружающим затвором, которую конкурирующая Samsung начала использовать ещё в рамках своего 3-нм техпроцесса, компания TSMC при выпуске чипов по технологии A16 будет использовать и подвод питания с оборотной стороны кремниевой пластины. Intel такое решение намеревается использовать при выпуске чипов по своим технологиям 20A и 18A с 2025 года.

    Компания TSMC сообщает, что техпроцесс N2 должен быть освоен в массовом производстве во второй половине 2025 года, после этого производитель займётся техпроцессом A16. В 2025 году компания также собирается освоить техпроцесс N4C, который от N4P будет отличаться сниженной на 8,5 % себестоимостью производства чипов при невысокой сложности внедрения. Кроме того, выход годной продукции по этому техпроцессу должен стать выше.

    По словам представителей TSMC, компания ускорила разработку технологии A16 с учётом потребностей неких компаний, интересующихся возможностью выпуска чипов для систем искусственного интеллекта с её помощью. Примечательно, что литографические сканеры с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV) для выпуска 1,6-нм продукции TSMC, скорее всего, не потребуются. Первыми клиентами TSMC по техпроцессу A16 как раз станут разработчики ускорителей вычислений, а на процессоров для смартфонов, как это происходило обычно.

    Напомним, Intel собирается освоить техпроцесс 14A к концу 2026 года или в начале 2027 года, но различия в подходе производителей к оценке основных геометрических параметров своих литографических технологий не позволяет напрямую сопоставлять решения разных производителей. В любом случае, TSMC освоит техпроцесс A16 к 2026 году, а Samsung собирается наладить выпуск чипов 1,4-нм класса к 2027 году.

    Будет TSMC совершенствовать и технологию интеграции полупроводниковых компонентов. К 2027 году будет освоена разновидность технологии CoWoS, позволяющая интегрировать на уровне кремниевой пластины чипы с несколькими разнородными кристаллами, память типа HBM и прочие компоненты. К концу следующего года будут сертифицированы новые методы упаковки чипов, которые будут использоваться в автомобильном сегменте с его повышенными требованиями к надёжности и безопасности. Интеграция кремниевой фотоники тоже будет эволюционировать и к 2026 году обеспечит прямую интеграцию оптических соединений на уровне упаковки полупроводниковых чипов.

    По информации https://naked-science.ru/article/astronomy/shut-of-star-formation

    Обозрение "Terra & Comp".

Помощь корреспонденту
Кнопка куратора
Добавить новость
Добавить новости
НАУКА В "РУССКОМ ПЕРЕПЛЕТЕ"

Если Вы хотите стать нашим корреспондентом напишите lipunov@sai.msu.ru

 

© 1999, 2000 "Русский переплет"
Дизайн - Алексей Комаров

Rambler's Top100