Далее представлены технологические этапы.

На подложку кремния со слоем SiO₂ толщиной 10нм катодным распылением наносится слой чистого алюминия (99.999%). Отмечено, что упорядоченность структуры нанопор улучшается в процессе окисления, поэтому исходная толщина алюминия составляла 20мкм. Проводится первый этап анодного окисления при концентрации щавелевой кислоты 0.15M/л, напряжении 40В и температуре 3°С до остаточной толщины Al 1000нм. Затем вся пористая окись алюминия удаляется в смеси жидких кислот HF и H₃PO₄. Поверхность оставшегося алюминия имеет упорядоченную шероховатость в виде донной оконечности микропор. Поэтому второй этап окисления оставшейся пленки Al происходит с хорошей самоорганизацией системы микропор до упора в SiO₂. Диаметр нанопор 25нм с расстоянием меж ними 90нм.

Для успеха последующего сухого травления поперечник пор немного увеличивали травлением в разбавленной фосфорной кислоте (~до 36нм), так что стенки из окиси алюминия между порами и на дне имеют толщину 50нм и 30нм, соответственно, а аспектное соотношение в геометрии пор составляет 2-5. На рисунке схематически показан вид подложки перед реактивным ионным травлением в плазме хлора. В матрице каждый ряд пор смещен относительно соседей на полпериода. Слои Al₂O₃ и SiO₂ на дне удаляются ВЧ-плазменным травлением в хлоре. Затем 5 мин травится кремний при постоянном смещении более -400В и 30мТорр хлора. При толщинах Al₂O₃ 200, 150, 130 и 50нм образуются нанопоры с аспектным отношением 5, 3.8, 3.2 и 1.3, соответственно. После удаления Al₂O₃ на дне пор кремний травится быстро. Отмечено, что с увеличением аспектного отношения (АО= 1, 2, 3) наблюдается уменьшение видимого диаметра поры d=30, 20 и 13нм (при исходном диаметре 45нм). Такое поведение объясняется тем, что при высоком потенциале (около -530В) вместе с химическим травлением происходит физическое распыление. При травлении Al₂O₃ в хлорной плазме образуются нелетучие соединения AlCl_x и AlO_x. В порах с большим аспектным отношением выход этого потока затруднен, и они успевают осесть на стенках, сужая пору.

Предполагается, что система наноотверстий в кремнии может служить формой для осаждения системы полевых эмиттеров из алмаза или вольфрама с высокой плотностью расположения.

Давайте сравним звезды по этим трем параметрам (см. табл. 1). Пусть M₁ > M₂. В системе центра масс общий импульс двойной должен быть равен нулю. Значит, по модулю импульсы звезд одинаковы (у них знак разный). Сравним энергии. Отношение кинетической энергии более массивной звезды к менее массивной, очевидно, равно отношению их орбитальных скоростей, ведь импульсы звезд равны. Но из равенства импульсов следует,